Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NexFET
Type d'emballage
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
128000000 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.65V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
€ 231,76
€ 0,077 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3000
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Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NexFET
Type d'emballage
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
128000000 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.65V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1