Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSONP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,28e+008 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.65V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 11,25
€ 0,225 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 11,25
€ 0,225 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,225 | € 11,25 |
| 250 - 450 | € 0,215 | € 10,74 |
| 500 - 1200 | € 0,193 | € 9,66 |
| 1250 - 2450 | € 0,174 | € 8,69 |
| 2500+ | € 0,165 | € 8,24 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSONP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,28e+008 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.65V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si


