MOSFET N Texas Instruments 3 A 30 V Enrichissement, 8 broches, VSONP NexFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
3A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
VSONP
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
128mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
500mW
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
1mm
Höhe
0.2mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
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€ 280,69
€ 0,094 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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