MOSFET canal Type N Texas Instruments 3 A 30 V Enrichissement, 8 broches, VSONP NexFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
3A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
VSONP
Séries
NexFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
128mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
500mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
12 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
0.6 mm
Taille
0.2mm
Longueur
1mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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€ 277,12
€ 0,092 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Séries
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
500mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
12 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1V
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