Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type d'emballage
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,3 e + 006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 9,90
€ 0,99 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 9,90
€ 0,99 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,99 | € 9,90 |
50 - 90 | € 0,969 | € 9,69 |
100 - 240 | € 0,741 | € 7,41 |
250 - 990 | € 0,734 | € 7,34 |
1000+ | € 0,658 | € 6,58 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type d'emballage
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,3 e + 006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si