Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSONP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,3 e + 006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 12,81
€ 1,281 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 12,81
€ 1,281 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,281 | € 12,81 |
| 50 - 90 | € 1,254 | € 12,54 |
| 100 - 240 | € 0,959 | € 9,59 |
| 250 - 990 | € 0,949 | € 9,49 |
| 1000+ | € 0,851 | € 8,51 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSONP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,3 e + 006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si


