Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NexFET
Type de conditionnement
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2300000 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 1 211,43
€ 0,485 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Texas InstrumentsType de canal
N
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3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NexFET
Type de conditionnement
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2300000 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si