MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 134 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
134 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
5,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
5.8mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 2 620,43
€ 1,048 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
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2.3V
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Longueur
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1
Largeur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC @ 4,5 V
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Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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