MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 134 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 827-4886Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD18531Q5A
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

134 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

5,8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.3V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.8mm

Charge de Grille type @ Vgs

18 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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€ 8,21

€ 1,643 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 134 A 60 V, 8 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 8,21
10€ 16,43
15€ 24,64
20€ 32,85
25€ 39,07
30€ 46,89
35€ 54,70
40€ 62,51
45€ 70,33
50€ 70,28
55€ 77,31
60€ 84,34
65€ 91,36
70€ 98,39
75€ 105,42

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 1,643€ 8,21
25 - 45€ 1,563€ 7,81
50 - 120€ 1,406€ 7,03
125 - 245€ 1,262€ 6,31
250+€ 1,199€ 6,00

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N

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134 A

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VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

5,8 mΩ

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

2.3V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

5.8mm

Charge de Grille type @ Vgs

18 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

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