MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSONP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
8.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 1 226,38
€ 0,491 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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2.3V
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Single
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±20 V
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1
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Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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