Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
8,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.8mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,07
€ 1,014 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 5,07
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5
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Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
8,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.8mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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