MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 54 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.6V
Dissipation de puissance maximum
79 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Séries
NexFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
16.51mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Through Hole
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
Tension Grille Source maximum
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1
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150 °C
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Séries
NexFET
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