MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
VSONP
Série
NexFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
10,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.7V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.8mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
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Single
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150 °C
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
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Longueur
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