MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches

N° de stock RS: 133-0154Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD19502Q5BT
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

157 A

Tension Drain Source maximum

80 V

Série

NexFET

Type d'emballage

VSON-CLIP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

4.8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.3V

Tension de seuil minimale de la grille

2.2V

Dissipation de puissance maximum

195 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.1mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

130 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.05mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1V

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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€ 4,32

€ 2,162 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 157 A 80 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

2

Disponible en multiples de 2
2€ 4,32
4€ 8,65
6€ 12,97
8€ 17,30
10€ 20,57
12€ 24,69
14€ 28,80
16€ 32,91
18€ 37,03
20€ 36,82
22€ 40,50
24€ 44,18
26€ 47,86
28€ 51,54
30€ 55,23

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
2 - 8€ 2,162€ 4,32
10 - 18€ 2,057€ 4,11
20 - 48€ 1,841€ 3,68
50 - 98€ 1,671€ 3,34
100+€ 1,595€ 3,19

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Résistance Drain Source maximum

4.8 mΩ

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Largeur

5.1mm

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Longueur

6.1mm

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Température d'utilisation maximum

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Taille

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