Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
6,4E+006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.7V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 7,71
€ 1,543 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
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Texas InstrumentsType de canal
N
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100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
6,4E+006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.7V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si