MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 100 V, 8 broches

N° de stock RS: 208-8483Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD19531Q5A
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Séries

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

6400000 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.7V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 1 891,95

€ 0,757 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 100 V, 8 broches

2500

Disponible en multiples de 2500
2500€ 1 891,95
5000€ 3 783,89
7500€ 5 675,84
10000€ 7 567,78
12500€ 9 459,73
15000€ 11 351,68
17500€ 13 243,62
20000€ 15 135,57
22500€ 17 027,52
25000€ 18 919,46
27500€ 20 811,41
30000€ 22 703,36
32500€ 24 595,30
35000€ 26 487,25
37500€ 28 379,19

€ 1 891,95

€ 0,757 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 100 V, 8 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

2500

Disponible en multiples de 2500
2500€ 1 891,95
5000€ 3 783,89
7500€ 5 675,84
10000€ 7 567,78
12500€ 9 459,73
15000€ 11 351,68
17500€ 13 243,62
20000€ 15 135,57
22500€ 17 027,52
25000€ 18 919,46
27500€ 20 811,41
30000€ 22 703,36
32500€ 24 595,30
35000€ 26 487,25
37500€ 28 379,19

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Séries

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

6400000 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.7V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus