MOSFET N Texas Instruments 200 A 100 V Enrichissement, TO-263 AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
200A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Typ montáže
Surface
Résistance Drain Source maximum Rds
12.9mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
1.9W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
85°C
Normes/homologations
No
Automobilový standard
Non
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€ 567,15
€ 1,134 Each (On a Reel of 500) (hors TVA)
500
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Surface
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