MOSFET canal Type N Texas Instruments 200 A 100 V Enrichissement, TO-263 AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
200A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Résistance Drain Source maximum Rds
12.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
1.9W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 14,83
€ 2,965 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,965 | € 14,82 |
| 25 - 45 | € 2,819 | € 14,10 |
| 50 - 120 | € 2,532 | € 12,66 |
| 125 - 245 | € 2,281 | € 11,40 |
| 250+ | € 2,167 | € 10,83 |
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Type N
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Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
1.9W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
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