MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 259 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 827-4919PMarque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD19536KCS
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

259 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Série

NexFET

Type de conditionnement

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

3,2 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.2V

Tension de seuil minimale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

375 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

118 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

16.51mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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€ 91,82

€ 3,532 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 259 A 100 V, 3 broches
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Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

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26

Disponible en multiples de 2
26€ 91,82
28€ 98,89
30€ 105,95
32€ 113,01
34€ 120,08
36€ 127,14
38€ 134,20
40€ 141,27
42€ 148,33
44€ 155,39
46€ 162,46
48€ 169,52
50€ 176,58
52€ 183,64
54€ 190,71

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3

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Tension de seuil maximale de la grille

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Si

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