MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 259 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
259 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
NexFET
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.2V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
118 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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Single
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±20 V
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Si
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1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
118 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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