MOSFET P Texas Instruments 20 A 20 V Enrichissement, 6 broches, WSON NexFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
WSON
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum Rds
2.39mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.9W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4.7nC
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2mm
Höhe
0.7mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3000
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WSON
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
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2.9W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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