Transistor MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 8 A 1 000 V, 3 broches

Brand

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8 A

Tension Drain Source maximum

1000 V

Type de boîtier

TO-3PN

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,8 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

120 nF @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

15.9mm

Largeur

4.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

19mm