Transistor MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 8 A 1 000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Type de boîtier
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.9mm
Largeur
4.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
19mm
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Prix sur demande
Standard
1
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