MOSFET Toshiba canal N, SC-67 3 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Série
2SK
Type de conditionnement
SC-67, TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
17 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15mm
Tension directe de la diode
1.9V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,80
€ 1,159 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,159 | € 5,80 |
| 25 - 45 | € 1,134 | € 5,67 |
| 50 - 95 | € 1,111 | € 5,56 |
| 100 - 245 | € 1,089 | € 5,44 |
| 250+ | € 1,071 | € 5,35 |
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3 A
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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