Transistor MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 13 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
45 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
50 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10mm
Hauteur
8.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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Through Hole
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
45 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
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1
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