MOSFET Toshiba canal N, SC-67 6 A 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 890-2698Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: 2SK4013,S5Q(J
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

6 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Série

2SK

Type de conditionnement

SC-67, TO-220SIS

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,7 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

45 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10mm

Charge de Grille type @ Vgs

45 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

15mm

Tension directe de la diode

1.7V

Pays d'origine

Malaysia

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 7,80

€ 1,559 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, SC-67 6 A 800 V, 3 broches

5

Disponible en multiples de 5
5€ 7,80
10€ 15,59
15€ 23,39
20€ 31,19
25€ 30,23
30€ 36,28
35€ 42,32
40€ 48,37
45€ 54,42
50€ 58,64
55€ 64,51
60€ 70,37
65€ 76,24
70€ 82,10
75€ 87,97

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 1,559€ 7,80
25 - 45€ 1,209€ 6,05
50 - 95€ 1,173€ 5,86
100 - 245€ 1,157€ 5,78
250+€ 1,148€ 5,74

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6 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Série

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,7 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

45 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

15mm

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