MOSFET Toshiba canal P, SOT-23 4 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
136 mΩ
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
5,9 nC @ -10 V nC
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.8mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-P, série SSM3J, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 4,84
€ 0,161 Each (In a Pack of 30) (hors TVA)
30
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 0,161 | € 4,84 |
| 150+ | € 0,153 | € 4,60 |
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P
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Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
136 mΩ
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+20 V
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1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
5,9 nC @ -10 V nC
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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