MOSFET Toshiba canal P, SOT-23 3,5 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,29 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
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€ 559,16
€ 0,186 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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