MOSFET Toshiba canal N, SC-75 100 mA 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
100 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.8mm
Longueur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.7mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série SSM3K, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 7,96
€ 0,08 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,08 | € 7,96 |
| 300+ | € 0,068 | € 6,82 |
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SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
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100 mW
Configuration du transistor
Single
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Largeur
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Longueur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
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