Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,89 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 300,04
€ 0,10 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 300,04
€ 0,10 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,89 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium


