Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,89 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 8,24
€ 0,165 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 8,24
€ 0,165 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,165 | € 8,24 |
| 100 - 200 | € 0,147 | € 7,33 |
| 250 - 450 | € 0,144 | € 7,22 |
| 500 - 950 | € 0,141 | € 7,05 |
| 1000+ | € 0,132 | € 6,59 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,89 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium


