Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
2,2 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 241,94
€ 0,081 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 241,94
€ 0,081 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
2,2 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium