Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,2 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 4,45
€ 0,045 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 4,45
€ 0,045 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,045 | € 4,45 |
| 200 - 200 | € 0,043 | € 4,34 |
| 300 - 400 | € 0,042 | € 4,22 |
| 500 - 900 | € 0,042 | € 4,22 |
| 1000+ | € 0,04 | € 4,00 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,2 e + 008 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium


