MOSFET Toshiba canal N, SOT-23 3,5 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
92 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Hauteur
0.7mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Thailand
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€ 685,31
€ 0,228 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 685,31
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,228 | € 685,31 |
| 6000 - 6000 | € 0,219 | € 658,03 |
| 9000+ | € 0,216 | € 647,80 |
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N
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-100 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
92 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
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