MOSFET Toshiba canal N, US6 300 mA 60 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
US6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
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€ 139,79
€ 0,047 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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