Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
US6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 15,00
€ 0,075 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
€ 15,00
€ 0,075 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,075 | € 15,00 |
| 400 - 600 | € 0,074 | € 14,77 |
| 800 - 1000 | € 0,073 | € 14,55 |
| 1200 - 2800 | € 0,068 | € 13,64 |
| 3000+ | € 0,061 | € 12,27 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
US6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium


