Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
US6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 15,48
€ 0,077 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
€ 15,48
€ 0,077 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
200 - 200 | € 0,077 | € 15,48 |
400 - 600 | € 0,076 | € 15,14 |
800 - 1000 | € 0,074 | € 14,86 |
1200 - 2800 | € 0,07 | € 13,90 |
3000+ | € 0,063 | € 12,68 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
US6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium