MOSFET Toshiba canal N, SOT-23 200 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Matériau du transistor
Silicium
Nombre d'éléments par circuit
1
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€ 61,37
€ 0,02 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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