Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 8,81
€ 0,035 Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
Standard
250
€ 8,81
€ 0,035 Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
250
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 250 - 250 | € 0,035 | € 8,81 |
| 500 - 750 | € 0,034 | € 8,52 |
| 1000 - 1250 | € 0,032 | € 7,96 |
| 1500 - 2750 | € 0,031 | € 7,67 |
| 3000+ | € 0,028 | € 7,10 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium


