MOSFET Toshiba canal P, DPAK (TO-252) 8 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
130 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
27 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-20 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
7mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
2.3mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Japan
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€ 1 112,11
€ 0,556 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
27 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-20 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
7mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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