Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
TK090A65Z
Type de conditionnement
TO-220SIS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.09 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 190,08
€ 3,802 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 190,08
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
TK090A65Z
Type de conditionnement
TO-220SIS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.09 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium


