MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,34
€ 2,836 Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
Standard
4
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
4
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 2,836 | € 11,34 |
| 20 - 76 | € 2,37 | € 9,48 |
| 80 - 196 | € 2,072 | € 8,29 |
| 200 - 396 | € 1,966 | € 7,86 |
| 400+ | € 1,918 | € 7,67 |
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N
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100 A
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Série
TK
Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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