Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
207 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15.1mm
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 3,16
€ 3,16 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 3,16
€ 3,16 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 24 | € 3,16 |
25 - 99 | € 2,99 |
100 - 349 | € 2,85 |
350 - 499 | € 2,54 |
500+ | € 2,37 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
207 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15.1mm
Détails du produit