MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 10 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
TK
Type de boîtier
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.5mm
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,69
€ 1,138 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,138 | € 5,69 |
| 25 - 95 | € 1,003 | € 5,02 |
| 100 - 245 | € 0,876 | € 4,38 |
| 250 - 495 | € 0,821 | € 4,10 |
| 500+ | € 0,772 | € 3,86 |
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Type de montage
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Nombre de broche
3
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1 Ω
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Single
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Si
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Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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