MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 11,1 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11.1 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Série
DTMOSIV
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
440 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Tension directe de la diode
1.7V
Hauteur
2.3mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 6,48
€ 1,296 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 6,48
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,296 | € 6,48 |
| 25 - 45 | € 1,168 | € 5,84 |
| 50 - 245 | € 1,123 | € 5,61 |
| 250 - 495 | € 1,073 | € 5,36 |
| 500+ | € 1,048 | € 5,24 |
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N
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650 V
Type de conditionnement
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Série
DTMOSIV
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
440 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
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