MOSFET Toshiba canal N, A-220 11,5 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11.5 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 37,28
€ 0,746 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Longueur
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Matériau du transistor
Si
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