MOSFET Toshiba canal N, A-220 11,5 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11.5 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
4.45mm
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,82
€ 2,363 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,363 | € 11,82 |
| 25 - 45 | € 1,896 | € 9,48 |
| 50 - 120 | € 1,727 | € 8,64 |
| 125 - 245 | € 1,584 | € 7,92 |
| 250+ | € 1,42 | € 7,10 |
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N
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Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
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Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
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Matériau du transistor
Si
Largeur
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