MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 11,5 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11.5 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
TK
Type de boîtier
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20mm
Tension directe de la diode
1.7V
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 2,68
€ 2,68 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 2,68 |
| 5 - 9 | € 2,53 |
| 10 - 24 | € 2,39 |
| 25 - 49 | € 2,27 |
| 50+ | € 2,15 |
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N
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
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Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
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