MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 11,5 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11.5 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
TK
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
340 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.3mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 2 892,81
€ 1,446 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
340 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
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