MOSFET Toshiba canal N, D2PAK (TO-263) 13,7 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 133-2797Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK14G65W,RQ(S
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

13.7 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Type de conditionnement

D2PAK (TO-263)

Série

DTMOSIV

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

250 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

130 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

35 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

8.8mm

Longueur

10.35mm

Tension directe de la diode

1.7V

Hauteur

4.46mm

Pays d'origine

Japan

Détails du produit

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 7,76

€ 1,552 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, D2PAK (TO-263) 13,7 A 650 V, 3 broches

5

Disponible en multiples de 5
5€ 7,76
10€ 15,52
15€ 23,29
20€ 31,05
25€ 38,81
30€ 46,57
35€ 54,34
40€ 62,10
45€ 69,86
50€ 77,62
55€ 85,39
60€ 93,15
65€ 100,91
70€ 108,67
75€ 116,43

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Série

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CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

250 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

130 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

35 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

8.8mm

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10.35mm

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