MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 20 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.7V
Hauteur
15mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 6,39
€ 0,639 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,639 | € 6,39 |
| 30+ | € 0,607 | € 6,07 |
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
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45 W
Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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