Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Séries
TK
Type de boîtier
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
40.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.8mm
Taille
19mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 2,42
€ 2,42 Each (hors TVA)
1
€ 2,42
€ 2,42 Each (hors TVA)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 24 | € 2,42 |
25 - 99 | € 1,71 |
100+ | € 1,67 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Séries
TK
Type de boîtier
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
40.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.8mm
Taille
19mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit