Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
TO-247
Série
DTMOSIV
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
175 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.02mm
Longueur
15.94mm
Tension directe de la diode
1.7V
Hauteur
20.95mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 14,18
€ 2,837 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 14,18
€ 2,837 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,837 | € 14,18 |
| 25 - 45 | € 2,562 | € 12,81 |
| 50 - 120 | € 2,334 | € 11,67 |
| 125 - 245 | € 2,305 | € 11,52 |
| 250+ | € 2,278 | € 11,39 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
TO-247
Série
DTMOSIV
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
175 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.02mm
Longueur
15.94mm
Tension directe de la diode
1.7V
Hauteur
20.95mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit


