MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 125-0551Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK20N60W5,S1VF(S
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type de conditionnement

TO-247

Série

DTMOSIV

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

175 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

165 W

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

55 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.02mm

Longueur

15.94mm

Tension directe de la diode

1.7V

Hauteur

20.95mm

Pays d'origine

Japan

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 14,18

€ 2,837 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 2,837€ 14,18
25 - 45€ 2,562€ 12,81
50 - 120€ 2,334€ 11,67
125 - 245€ 2,305€ 11,52
250+€ 2,278€ 11,39

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N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

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Type de conditionnement

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Série

DTMOSIV

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

175 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

165 W

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

55 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.02mm

Longueur

15.94mm

Tension directe de la diode

1.7V

Hauteur

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